電子產(chǎn)品可靠性預計與分析

【培訓對象】
電子產(chǎn)品質(zhì)量檢測員

【培訓收益】


一、可靠性常用的度量指標及其測量
1、常用的可靠性指標
　　可靠度、不可靠度、瞬時(shí)失效率、保證壽命、平均壽命、特征壽命、中位壽命、平均修復時(shí)間、
有效度。 

2、電子產(chǎn)品常用壽命分布類(lèi)型及其指標分析
2.1 指數分布、正態(tài)分布、對數正態(tài)分布、威布爾分布
2.2 不同分布類(lèi)型時(shí)可靠性指標的計算 

3、可靠性模型
3.1串聯(lián)系統　并聯(lián)系統、r/n系統、串并系統。
3.2　用可靠性模型改進(jìn)產(chǎn)品的案例
案例1　電源系統的改進(jìn)
案例2　復雜大系統的可靠性模型選擇
4、電子產(chǎn)品返修率、年停機時(shí)間（Downtime）與失效率、保證壽命、可靠度、MTBF、的關(guān)系。
 
5、客戶(hù)要求的可靠性指標分解方法
　　案例1 要求累積故障率的情況
　　案例2　要求年維修率的指標分析 

6、可靠性指標的試驗測定
案例1　已知置信度和MTBF時(shí)的實(shí)驗測定
案例2　已知置信度和可靠度時(shí)的實(shí)驗測定
案例3　案例加速壽命實(shí)驗測定法 

二、可靠性預計
1、可靠性指標預計概述
1.1可靠性預計的目的意義
1.2可靠性預計的常用標準（GJB、MIL、Bellcore）
1.3 常用的可靠性預計方法 

2、基于國軍標和美軍標的可靠性預計
2.1 可靠性預計系數的選取
　基本失效率、環(huán)境系數、質(zhì)量系數、應用系數、結構系數、溫度系數、復雜度系數、封裝系數等。
2.2案例　微電路可靠性預計，包括：
A.半導體單片雙極及MOS數字電路；
B.半導體單片雙極及MOS模擬電路；
C.半導體單片雙極及MOS微處理器；
D.半導體單片雙極、MOS存儲器；
2.3案例　半導體器件的可靠性預計
包括雙極、場(chǎng)效應晶體管、二極管和光電子器件
2.4 計數法可靠性預計
2.5 應力分析法的可靠性預計
2.6 案例　系統及設備可靠性預計預計舉例 

3、貝爾實(shí)驗室（Bellcore）TR332可靠性預計
3.1 元器件恒定失效率預計
3.1.1 基本恒定失效率預計
3.1.2 等效時(shí)間計算
3.1.3 首年因子計算
3.2 結合試驗數據的修正預計法
3.2.1 元器件已經(jīng)過(guò)試驗室測試
3.2.2　單元已經(jīng)過(guò)試驗室測試
3.3 結合現場(chǎng)數據預計法
導引內容：可靠性模型的建立與分析
可靠性模型的建立是可靠性分析的第一步，能否建立正確的可靠性模型，對于分析產(chǎn)品可靠性
指標，指導產(chǎn)品可靠性設計，開(kāi)展相關(guān)試驗十分重要，主要包括下列內容：
a 常用的可靠性模型
b 可靠性模型的建立
c　 用可靠性模型改進(jìn)產(chǎn)品和中標的案例 

1　故障模式、影響及危害度分析 （FMEA）
1.1 FMEA的意義和作用
運載火箭的案例分析
1.2 　FMEA的分類(lèi)（系統FMEA、設計FMEA和工藝FMEA）
1.3 　FMEA的實(shí)施步驟
1.3.1 繪制分級功能框圖
1.3.2 失效模式頻數比
1.3.3 失效模式影響
1.3.4 失效率
1.3.5 失效模式危害度
1.3.6 危害度（性）矩陣 

1.4　FMECA的標準方法1.5　報警器的FMEA分析案例
1.6　QS 9000的FMECA方法
1.7 分析案例
1.8　影響FMECA工作效果的因素 

2 故障樹(shù)分析（FTA）技術(shù)
2.1 概述
2.2 故障樹(shù)的基礎
2.3 FTA的實(shí)施步驟
（1） 故障樹(shù)的建造；
（2）故障樹(shù)的劃簡(jiǎn)；
（3） 定性分析；
（4） 定量計算；
（5） 改進(jìn)措施。
2.4 壓力罐控制電路的故障樹(shù)分析實(shí)例 

3 故障報告、分析和糾正措施系統(FRACAS)
3.1 建立FRACAS系統
3.2 運行FRACAS
3.3 FRACAS的關(guān)鍵點(diǎn)分析
3.4 雙歸零的現實(shí)意義
3.5 部分工業(yè)部門(mén)實(shí)施FRACAS的經(jīng)驗

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